LM2665
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V +至GND或GND为OUT）
SD
5.8V
连续功率
耗散（T
A
= 25℃ ）（注3）
T
JMAX
（注3）
θ
JA
（注3）
工作结
温度范围
存储温度范围
铅温度。 （焊接， 10秒）
ESD额定值
600毫瓦
150˚C
210˚C/W
-40 °至85°C
-65 ° C至+ 150°C
300˚C
2kV
（ GND - 0.3V ）至（v + +
0.3V)
50毫安
1秒。
V +和OUT连续输出电流
输出短路持续时间至GND （注2 ）
电气特性
在标准字体限为T
J
= 25°C ，而在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。非
少另有规定： V + = 5V ，C
1
= C
2
= 3.3 μF 。 （注4 ）
符号
V+
I
Q
I
SD
V
SD
参数
电源电压
电源电流
关断电源电流
关断引脚输入电压
关断模式
正常工作
I
L
R
SW
R
OUT
f
OSC
f
SW
P
EFF
输出电流
中的R总和
DS （ ON）
之四
内部MOSFET开关
输出电阻（注7 ）
振荡器频率
开关频率
功率英法fi效率
I
L
= 40毫安
I
L
= 40毫安
（注8）
（注8）
R
L
GND之间（ 1.0K ）
OUT
I
L
= 40 mA至GND
空载
80
40
86
40
3.5
12
160
80
93
90
99
99.96
%
8
25
2.0
（注5 ）
0.8
（注6 ）
空载
条件
民
2.5
650
1
典型值
最大
5.5
1250
单位
V
µA
µA
V
mA
Ω
Ω
千赫
千赫
%
V
OEFF
电压转换效率
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其额定工作条件。
注2 ：
OUT可能短路到GND一秒而不损坏。然而，短路输出到V + ，可能会损坏设备，应加以避免。此外，对于温
peratures以上85℃时，OUT不能被短路至GND或V +时，或可能导致设备损坏。
注3 ：
最大允许功耗是通过使用P计算
DMAX
= (T
JMAX
− T
A
)/θ
JA
，其中t
JMAX
是最大结温，T
A
为
环境温度，并
θ
JA
是指定包的结点至环境热阻。
注4 ：
在测试电路中，用电容器C
1
和C
2
是3.3 μF ， 0.3Ω最大ESR电容。电容器具有较高的ESR会增加输出电阻，减小输出
电压和效率。
注5 ：
最小输入高电平关断引脚等于V + 40 ％ 。
注6 ：
关断引脚的最大输入低电平等于V + 20 ％ 。
注7 ：
指定的输出电阻包括内部开关电阻和电容的ESR 。看到正电压倍增器的应用程序的细节信息。
注8 ：
输出开关在一半的振荡频率操作中，f
OSC
= 2f
SW
.
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
