LM3526
功能说明
该LM3526 - H和LM3526 -L高边P沟道
开关，高电平有效和低电平有效使能输入，再
spectively 。故障条件下关断，抑制导通的
输出晶体管和激活的漏极开路错误标志转录
体管下沉到地面的电流。
输入和输出
IN （输入）是电源连接到控制税务局局长
cuitry和输出MOSFET的源极。
OUT （输出）是连接到输出端的漏极
MOSFET。在一个典型的应用电路中，电流流
通过从IN的开关输出到负载。
如果V
OUT
大于V
IN
当开关启动，电流
租金将从OUT流向IN ，因为MOSFET是双向
tional 。
热关断
该LM3526内部免受过大的权力
耗散由一个两阶段的热保护电路。如果
元件温度上升到大约145℃时，热敏
MAL关断电路关断是的电流极限值任意切换
资讯科技教育。非过载开关继续正常工作。
如果芯片温度上升到高于150℃时，两个开关都
关闭，这两个故障标志输出被激活。 Hyster-
ESIS确保开关由热关断关闭
会不会被再次打开，直到模具温度再
缩小以135˚C 。短接开关将继续循环关闭
和上，由于上升和下降管芯温度，直至
短路故障解除。
欠压锁定
UVLO保护MOSFET的开关从开启到IN-
把电压超过1.8V （典型值） 。
如果输入电压低于1.8V （典型值） ， UVLO关闭
MOSFET开关和信号的故障标志。 UVLO功能
系统蒸发散，只有当设备被激活。
电流限制
电流限制电路设计以保护系统
供给时，MOSFET开关和从损坏的负荷
造成过大的电流。电流限制阈值
内部设置，以允许通过所述至少500mA的
MOSFET的，但限制了输出电流，以约1.0A
典型的。
故障标志
故障标志是一个开漏输出可下沉
10毫安负载电流高于地面通常为100毫伏。
之间的标志引脚和V存在寄生二极管
IN
引脚。
拔旗销比V电压高
IN
将转发
这个偏置的二极管，将导致增加的电源电流。
该二极管也将钳上的标志引脚的电压到一个二
颂下降超过V
IN
.
故障标志有效（拉低）时，以下任一
条件存在：欠电压，电流限制，或热敏
发作停止。
1ms的（典型值）延迟报告故障情况不容许ER-
roneous故障标志并省去了外部
RC延迟网络。
应用信息
筛选
USB规范指出，“不低于120 μF
钽电容器“必须在每个输出中使用
下行端口。该大容量电容提供
热插件的过程中所需要的短期瞬态电流。
引起的向下的输入电容的电流浪涌
流装置可以产生不良的电磁干扰信号。 Fer-
在系列的所有电源线和接地线仪式珠市盈率
ommended消除或显著降低EMI。
在选择一个铁氧体磁珠，所使用的导线的直流电阻
必须保持为最小，以减小电压降。
一个0.01μF陶瓷电容建议每个端口上
直接在V之间
公共汽车
和接地引脚，以防止电磁干扰
热分离过程中，其他部件的损坏。
足够的电容必须连接到的输入
装置中热插拔事件限制输入电压下降
以低于330毫伏。为几十微秒，则主机必须支持
帘布层的浪涌电流到外围，充电其散装钙
pacitance到V
公共汽车
。这个电流是由在 - 最初提供
把电容。一个33 μF 16V的钽电容
推荐使用。
在选择电容，特别要注意以
的等效串联电阻， ESR的电容，以
最大限度地降低了电容的ESR的IR压降。
软启动
消除因高上游电压跌落
浪涌电流绘制由输出电容器，所述最大
浪涌电流内部限制为1.5A 。
瞬态过流延时
当开关处于高瞬态电流，也产生
电容在输出使能和大的值有
被迅速充电。该浪涌电流产生可能EX-
CEED器件的短路电流限制阈
迫使它进入限流模式。该电容器是
充电以最大可用短路电流集
由LM3526 。所述浪涌电流的持续时间取决于
在输出电容和负载电流的大小。自
这不是一个有效的故障情况下， LM3526延迟gen-
关合作的故障标志为1毫秒。如果问题仍然存在，由于
其他原因，如一个短，一个故障标志，生成AF-
器1 ms的延时已经结束。
该LM3526的1毫秒延迟发出故障标志是足够的
于大多数应用。如果再延迟是必需的，一个RC滤波器
之三，如图
图1
可被使用。
DS101097-24
图1 。
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
