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LM4040DIM3X-2.5 参数 Datasheet PDF下载

LM4040DIM3X-2.5图片预览
型号: LM4040DIM3X-2.5
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内容描述: 精密微功耗并联型电压基准 [Precision Micropower Shunt Voltage Reference]
分类和应用:
文件页数/大小: 30 页 / 358 K
品牌: NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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LM4040
电气特性(注)
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
功能,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低,当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 :
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
(最大结温)
θ
JA
(路口
环境的热阻) ,以及T
A
(环境温度) 。在任何温度下的最大允许功耗为PD
最大
= (T
JMAX
− T
A
)/θ
JA
在绝对最大额定值,以较低者为准定数。对于LM4040 ,T
JMAX
= 125℃ ,并且典型热阻( θ
JA
) ,板装的时候,
对于SOT- 23封装, 0.4"引线长度180℃ / W 170 / W与0.125"引线长度为TO- 92封装, 415℃ / W的SC70 326℃ / W ,而
封装。
注3 :
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。
注4 :
标准被定在T
J
= 25 ,代表最可能的参数指标。
注5 :
极限是100 %的产品在25℃的测试。极限超温是通过使用统计质量控制( SQC)方法。
这些限制是用来计算美国国家半导体的AOQL 。
注6 :
粗体(超温)限制反向击穿电压容差定义为室温反向击穿电压容差
±
[(∆V
R
/ΔT )( maxΔT ) (Ⅴ
R
) ] 。其中,
∆V
R
/ΔT是V
R
温度系数, maxΔT是从25℃时的参考点,以在温度差的最大值
T
或T
最大
和V
R
是反向击穿电压。总过温在工业温度范围内,其中容差为不同等级
maxΔT = 65°C如下所示:
A级:
±
0.75% =
±
0.1%
±
100 PPM / C X 65°C
B级:
±
0.85% =
±
0.2%
±
100 PPM / C X 65°C
C-等级:
±
1.15% =
±
0.5%
±
100 PPM / C X 65°C
D-等级:
±
1.98% =
±
1.0%
±
150 PPM / C X 65°C
E级:
±
2.98% =
±
2.0%
±
150 PPM / C X 65°C
总过温在exteded温度范围内的最大公差为不同等级
∆T
= 100℃,显示如下:
C-等级:
±
1.5% =
±
0.5%
±
100 PPM / C X 100˚C
D-等级:
±
2.5% =
±
1.0%
±
150 PPM / C X 100˚C
E级:
±
3.5% =
±
2.0%
±
150 PPM / C X 100˚C
因此,作为一个例子,在A级LM4040-2.5具有过热反向击穿电压公差
±
2.5V X 0.75 % =
±
19毫伏。
注7 :
负载调整率从空载到额定负载电流测量脉搏的基础。由于模具温度变化的输出变化必须考虑到
分别核算。
注8 :
热滞是指在+ 25℃循环温度-40°C后测得的电压差和骑自行车后, 25 °C的测量
温度+ 125°C 。
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