[ ONSEMI ] NTZD3155CT2G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

小信号MOSFET互补20 V 540毫安/ -430毫安,具有ESD保护, SOT- 563封装。

Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package.

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NTZD3155CT2G 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
图片:
NTZD3155CT2G 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
540mA,430mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
150pF @ 16V
功率 - 最大值
250mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
基本零件编号
NTZD3155C
标准包装
4,000
其它名称
NTZD3155CT2G-ND NTZD3155CT2GOSTR

[ ONSEMI ] NTZD3155CT5G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

小信号MOSFET互补20 V 540毫安/ -430毫安,具有ESD保护, SOT- 563封装。

Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package.

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[ ONSEMI ] NTZD3156C Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

小信号MOSFET

Small Signal MOSFET

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[ ONSEMI ] NTZD3156CT1G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

小信号MOSFET

Small Signal MOSFET

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[ ONSEMI ] NTZD3156CT2G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

小信号MOSFET

Small Signal MOSFET

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[ ONSEMI ] NTZD3156CT5G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

小信号MOSFET

Small Signal MOSFET

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[ ONSEMI ] NTZD5110N Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

60伏310毫安,双N沟道具有ESD保护, SOT- 563

60 V, 310 mA, Dual N−Channel with ESD Protection, SOT−563

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[ ONSEMI ] NTZD5110NT1 Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

60伏310毫安,双N沟道具有ESD保护, SOT- 563

60 V, 310 mA, Dual N−Channel with ESD Protection, SOT−563

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NTZD3155CT2G 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
图片:
NTZD3155CT2G 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
540mA,430mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
150pF @ 16V
功率 - 最大值
250mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
NTZD3155CT2GOSCT

NTZD3155CT2G 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
图片:
NTZD3155CT2G 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
在售
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
540mA,430mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
150pF @ 16V
功率 - 最大值
250mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
NTZD3155CT2GOSDKR
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • NTZD3155CT2G
  • 小信号MOSFET互补20 V 540毫安/ -430毫安,具有ESD保护, SOT- 563封装。
    Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package.

  • ONSEMI
  • 总8页

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