欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2N3771G 参数 Datasheet PDF下载

2N3771G图片预览
型号: 2N3771G
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高功率NPN硅功率晶体管 [High Power NPN Silicon Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 5 页 / 80 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2N3771G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N3771G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N3771G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N3771G的Datasheet PDF文件第5页  
2N3771, 2N3772
2N3771 is a Preferred Device
High Power NPN Silicon
Power Transistors
These devices are designed for linear amplifiers, series pass
regulators, and inductive switching applications.
Features
http://onsemi.com
Forward Biased Second Breakdown Current Capability
I
S/b
= 3.75 Adc @ V
CE
= 40 Vdc − 2N3771
= 2.5 Adc @ V
CE
= 60 Vdc − 2N3772
Pb−Free Packages are Available*
20 and 30 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
40 and 60 VOLTS, 150 WATTS
MARKING
DIAGRAM
ÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
(Note 1)
Rating
Symbol
V
CEO
V
CEX
V
CB
V
EB
I
C
I
B
2N3771
40
50
50
2N3772
60
80
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector−Emitter Voltage
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
100
7.0
20
30
5.0
30
30
Collector Current − Continuous
Peak
Base Current −
Continuous
Peak
7.5
15
5.0
15
Total Device Dissipation @ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
P
D
150
0.855
W
W/°C
°C
T
J
, T
stg
– 65 to + 200
TO−204AA (TO−3)
CASE 1−07
STYLE 1
2N377xG
AYYWW
MEX
2N377x
G
A
YY
WW
MEX
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
q
JC
Max
Unit
Thermal Resistance,
Junction−to−Case
1.17
°C/W
= Device Code
x = 1 or 2
= Pb−Free Package
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Country of Origin
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Indicates JEDEC registered data.
ORDERING INFORMATION
Device
2N3771
2N3771G
2N3772
2N3772G
Package
TO−204
TO−204
(Pb−Free)
TO−204
TO−204
(Pb−Free)
Shipping
100 Units / Tray
100 Units / Tray
100 Units / Tray
100 Units / Tray
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
1
October, 2006 − Rev. 11
Publication Order Number:
2N3771/D