ON Semiconductor
)
Medium-Power Plastic NPN
Silicon Transistors
. . . designed for driver circuits, switching, and amplifier
applications. These high–performance plastic devices feature:
2N4921
thru
2N4923 *
*ON Semiconductor Preferred Device
•
Low Saturation Voltage —
•
•
•
•
VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp
Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction —
PD = 30 W @ TC = 25_C
Excellent Safe Operating Area
Gain Specified to IC = 1.0 Amp
Complement to PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920
1 AMPERE
GENERAL–PURPOSE
POWER TRANSISTORS
40–80 VOLTS
30 WATTS
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ Î Î
ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N4921
40
40
2N4922
60
60
2N4923
80
80
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
5.0
1.0
3.0
1.0
Collector Current — Continuous (1)
Base Current — Continuous
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25_C
Operating & Storage Junction
Temperature Range
PD
30
0.24
Watts
W/_C
_C
TJ, Tstg
–65 to +150
3 2
1
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
THERMAL CHARACTERISTICS (2)
Characteristic
Symbol
θ
JC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
4.16
_C/W
(1) The 1.0 Amp maximum IC value is based upon JEDEC current gain requirements.
The 3.0 Amp maximum value is based upon actual current handling capability of the
device (see Figures 5 and 6).
(2) Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.
*Indicates JEDEC Registered Data.
Preferred
devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
1
April, 2002 – Rev. 10
Publication Order Number:
2N4921/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
