欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MC74LVXT4051DT 参数 Datasheet PDF下载

MC74LVXT4051DT图片预览
型号: MC74LVXT4051DT
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 模拟多路复用器多路解复用器高性能硅栅CMOS [ANALOG MULTIPLEXER DEMULTIPLEXER HIGH-PERFORMANCE SILICON-GATE CMOS]
分类和应用: 解复用器
文件页数/大小: 16 页 / 149 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MC74LVXT4051DT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MC74LVXT4051DT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MC74LVXT4051DT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MC74LVXT4051DT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MC74LVXT4051DT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MC74LVXT4051DT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MC74LVXT4051DT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MC74LVXT4051DT的Datasheet PDF文件第9页  
MC74LVXT4051
NORMALIZED FAILURE RATE
T
J
= 130_C
T
J
= 120_C
T
J
= 90_C
80
90
100
110
120
130
140
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
TIME, YEARS
100
1000
Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
http://onsemi.com
3
T
J
= 80_C
Time, Hours
Time, Years
T
J
= 100_C
T
J
= 110_C
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
(Note 1)
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
V
V
V
V
EE
Negative DC Supply Voltage
Positive DC Supply Voltage
Analog Input Voltage
Digital Input Voltage
(Referenced to GND)
V
CC
V
IS
(Referenced to GND)
(Referenced to V
EE
)
*
7.0 to
)0.5
*
0.5 to
)7.0
*
0.5 to
)7.0
*
0.5 to 7.0
$20
V
EE
*
0.5 to V
CC
)0.5
V
IN
I
(Referenced to GND)
DC Current, Into or Out of Any Pin
Storage Temperature Range
mA
_C
_C
_C
T
STG
T
L
T
J
*
65 to
)150
260
)150
143
164
500
450
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
Junction Temperature under Bias
Thermal Resistance
q
JA
P
D
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
°C/W
mW
Power Dissipation in Still Air,
Moisture Sensitivity
MSL
F
R
Level 1
Flammability Rating
Oxygen Index: 30% – 35%
UL–94–VO (0.125 in)
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD Withstand Voltage
Human Body Model (Note 2)
Machine Model (Note 3)
Charged Device Model (Note 4)
V
I
LATCH–UP
Latch–Up Performance
Above V
CC
and Below GND at 125°C (Note 5)
mA
1. Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Extended exposure to these
conditions or conditions beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute maximum–rated
conditions is not implied.
2. Tested to EIA/JESD22–A114–A.
3. Tested to EIA/JESD22–A115–A.
4. Tested to JESD22–C101–A.
5. Tested to EIA/JESD78.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
V
EE
Negative DC Supply Voltage
Positive DC Supply Voltage
Analog Input Voltage
Digital Input Voltage
Parameter
(Referenced to GND)
Min
Max
GND
6.0
6.0
Unit
V
V
V
V
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
V
CC
V
IS
T
A
(Referenced to GND)
(Referenced to V
EE
)
2.5
2.5
V
EE
0
V
CC
6.0
125
100
20
V
IN
(Note 6) (Referenced to GND)
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
Operating Temperature Range, All Package Types
*
6.0
*
55
0
0
_C
t
r
, t
f
Input Rise/Fall Time
(Channel Select or Enable Inputs)
ns/V
6. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high–logic voltage level or a low–logic input voltage level.
DEVICE JUNCTION TEMPERATURE VERSUS
TIME TO 0.1% BOND FAILURES
Junction
Temperature
°C
FAILURE RATE OF PLASTIC = CERAMIC
UNTIL INTERMETALLICS OCCUR