MJE340
Plastic Medium−Power
NPN Silicon Transistor
This device is useful for high−voltage general purpose applications.
Features
•
Suitable for Transformerless, Line−Operated Equipment
•
Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating
for High Reliability
•
Pb−Free Package is Available*
http://onsemi.com
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Symbol
V
CEO
V
EB
I
C
P
D
Value
300
3.0
Unit
Vdc
Vdc
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
300 VOLTS, 20 WATTS
Î Î ÎÎ Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎ Î
Î ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Collector Current − Continuous
500
mAdc
Total Power Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
20
0.16
W
mW/_C
_C
T
J
, T
stg
–65 to +150
TO−225
CASE 77
STYLE 1
3
2 1
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
q
JC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction−to−Case
6.25
_C/W
MARKING DIAGRAM
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
YWW
JE340G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Max
Unit
Y
WW
JE340
G
= Year
= Work Week
= Device Code
= Pb−Free Package
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 300 Vdc, I
E
= 0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 3.0 Vdc, I
C
= 0)
V
CEO(sus)
I
CBO
I
EBO
300
−
−
−
Vdc
100
100
mAdc
mAdc
ORDERING INFORMATION
Device
MJE340
MJE340G
Package
TO−225
TO−225
(Pb−Free)
Shipping
500 Units/Box
500 Units/Box
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
h
FE
30
240
−
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
1
February, 2006 − Rev. 11
Publication Order Number:
MJE340/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
