MJE350
Plastic Medium Power
PNP Silicon Transistor
This device is designed for use in line−operated applications such as
low power, line−operated series pass and switching regulators
requiring PNP capability.
Features
http://onsemi.com
•
High Collector−Emitter Sustaining Voltage
−
V
CEO(sus)
= 300 Vdc @ I
C
= 1.0 mAdc
•
Excellent DC Current Gain
−
h
FE
= 30−240 @ I
C
= 50 mAdc
•
Plastic Thermopad Package
•
Pb−Free Package is Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Symbol
V
CEO
V
EB
I
C
P
D
Value
300
3.0
500
Unit
Vdc
Vdc
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
300 VOLTS, 20 WATTS
3
TO−225
CASE 77
STYLE 1
2 1
Î Î ÎÎ Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎ Î
Î ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ ÎÎ Î
Î ÎÎ Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Collector Current
−
Continuous
mAdc
Total Power Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
20
0.16
W
mW/_C
_C
T
J
, T
stg
–65 to +150
MARKING DIAGRAM
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
q
JC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction−to−Case
6.25
_C/W
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
YWW
JE350G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
300
−
−
Max
−
Unit
Vdc
OFF CHARACTERISTICS
Y
WW
JE350
G
= Year
= Work Week
= Device Code
= Pb−Free Package
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 300 Vdc, I
E
= 0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 3.0 Vdc, I
C
= 0)
V
CEO(sus)
I
CBO
I
EBO
100
100
mAdc
mAdc
ORDERING INFORMATION
Device
MJE350
MJE350G
Package
TO−225
TO−225
(Pb−Free)
Shipping
500 Units/Box
500 Units/Box
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
h
FE
30
240
−
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
January, 2007
−
Rev. 14
1
Publication Order Number:
MJE350/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
