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2N2907A 参数 Datasheet PDF下载

2N2907A图片预览
型号: 2N2907A
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内容描述: 开关晶体管 [Switching Transistor]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 86 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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2N2907A
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压(注1 ) (我
C
=
−10
MADC ,我
B
= 0)
集热器
: BASE
击穿电压(I
C
=
−10
MADC ,
I
E
= 0)
辐射源
: BASE
击穿电压(I
E
=
−10
MADC ,
I
C
= 0)
集电极截止电流(V
CE
=
−30
VDC ,V
EB (O FF )
=
−0.5
VDC )
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
−50
VDC ,我
E
= 0)
(V
CB
=
−50
VDC ,我
E
= 0, T
A
= 150°C)
基本电流( V
CE
=
−30
VDC ,V
EB (O FF )
=
−0.5
VDC )
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
−0.1
MADC ,V
CE
=
−10
VDC )
(I
C
=
−1.0
MADC ,V
CE
=
−10
VDC )
(I
C
=
−10
MADC ,V
CE
=
−10
VDC )
(I
C
=
−150
MADC ,V
CE
=
−10
VDC ) (注1 )
(I
C
=
−500
MADC ,V
CE
=
−10
VDC ) (注1 )
集热器
:辐射源
饱和电压(注1 )
(I
C
=
−150
MADC ,我
B
=
−15
MADC )
(I
C
=
−500
MADC ,我
B
=
−50
MADC )
BASE
:辐射源
饱和电压(注1 )
(I
C
=
−150
MADC ,我
B
=
−15
MADC )
(I
C
=
−500
MADC ,我
B
=
−50
MADC )
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积(注1和2 ) ,
(I
C
=
−50
MADC ,V
CE
=
−20
VDC , F = 100兆赫)
|h
fe
|, (I
C
=
−20
MADC ,V
CE
=
−20
VDC , F = 100兆赫)
输出电容(V
CB
=
−10
VDC ,我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫)
输入电容(V
EB
=
−2.0
VDC ,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
关断时间
贮存时间
下降时间
1.脉冲测试:见MIL -STD- 750的第4节。
2. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
(V
CC
=
−6.0
VDC ,我
C
=
−150
MADC ,
I
B1
= I
B2
= 15 MADC ) (图)( TAG )
(V
CC
=
−30
VDC ,我
C
=
−150
MADC ,
I
B1
=
−15
MADC ) (图NO TAG和
NO TAG )
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
45
10
40
100
80
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
敖包
C
IBO
f
T
200
2.0
8.0
30
兆赫
pF
pF
h
FE
75
100
100
100
50
−0.6
300
−0.4
−1.6
−1.3
−2.6
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
CBO
−60
−60
−5.0
−50
−0.01
−10
−50
VDC
VDC
VDC
NADC
MADC
符号
最大
单位
I
B
NADC
V
CE ( SAT )
VDC
V
BE ( SAT )
VDC
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