2N3906
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ） （ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
MADC ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10
MADC ，
IC = 0）
底座截止电流（ VCE = 30 V直流， VEB = 3.0伏）
集电极截止电流（ VCE = 30 V直流， VEB = 3.0伏）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
IBL
ICEX
40
40
5.0
–
–
–
–
–
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC
基射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
的hFE
60
80
100
60
30
VCE （ SAT ）
–
–
VBE （ SAT ）
0.65
–
0.85
0.95
0.25
0.4
VDC
–
–
300
–
–
VDC
–
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）
输出电容（ VCB = 5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出导纳（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = 100
MADC ，
VCE = 5.0伏， RS = 1.0千欧， F = 1.0千赫）
fT
250
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
HRE
0.1
的hFE
100
HOE
NF
–
4.0
3.0
400
60
毫姆欧
dB
10
–
–
–
2.0
–
4.5
10
12
pF
pF
kΩ
X 10–4
兆赫
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = 3.0伏， VBE = 0.5伏，
IC = 10 MADC ， IB1 = 1.0 MADC ）
（ VCC = 3.0伏， IC = 10 MADC ，
IB1 = IB2 = 1.0 MADC ）
（ VCC = 3.0伏， IC = 10 MADC ，
IB1 = IB2 = 1.0 MADC ）
td
tr
ts
–
tf
–
75
225
ns
–
–
35
35
ns
ns
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2%.
http://onsemi.com
2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
