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BF422 参数 Datasheet PDF下载

BF422图片预览
型号: BF422
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内容描述: 高电压晶体管 [High Voltage Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 95 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BF422
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压(注1 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集热器
: BASE
击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 200伏,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0伏,我
C
= 0)
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
300
300
5.0
0.01
100
VDC
VDC
VDC
MADC
NADC
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 25 MADC ,V
CE
= 20 V直流)
集热器
:辐射源
饱和电压
(I
C
= 20 MADC ,我
B
= 2.0 MADC )
BASE
:辐射源
饱和电压
(I
C
= 20 MADC ,我
B
= 2.0 MADC )
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
50
0.5
2.0
VDC
VDC
小信号特性
电流增益
带宽积
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 20兆赫)
共射极反馈电容
(V
CB
= 30伏直流电,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
f
T
C
re
60
1.6
兆赫
pF
http://onsemi.com
2