LM285 ， LM385B
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
LM285−1.2
特征
反向击穿电压随电流
I
RMIN
v
I
R
v
1.0毫安，T
A
= +25°C
T
A
= T
低
给T
高
（注2 ）
1.0毫安
v
I
R
v
20毫安，T
A
= +25°C
T
A
= T
低
给T
高
（注2 ）
反向动态阻抗
I
R
= 100
毫安，
T
A
= +25°C
平均温度系数
20
mA
v
I
R
v
20毫安，T
A
= T
低
给T
高
（注2 ）
宽带噪声（ RMS）
I
R
= 100
毫安，
10赫兹
v
f
v
10千赫
长期稳定性
I
R
= 100
毫安，
T
A
= +25°C
±
0.1°C
2. T
低
T
高
T
低
T
高
符号
DV
（ BR ）R
−
−
−
−
Z
−
DV
（ BR ）
/ DT
−
n
−
S
−
20
−
−
20
−
120
−
−
120
−
PPM / KHR
80
−
−
80
−
mV
0.6
−
−
0.6
−
PPM /°C的
−
−
−
−
1.0
1.5
10
20
−
−
−
−
−
−
−
−
2.0
2.5
20
25
W
民
典型值
最大
LM385−1.2/LM385B−1.2
民
典型值
最大
单位
mV
= -40 ℃， LM285-1.2 ， LM285-2.5
= + 85°C的LM285-1.2 ， LM285-2.5
= 0 ℃， LM385-1.2 ， LM385B -1.2 ， LM385-2.5 ， LM385B -2.5
= + 70 ℃， LM385-1.2 ， LM385B - 1.2 ， LM385-2.5 ， LM385B -2.5
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3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
