MBRS1100T3 ， MBRS190T3
首选设备
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
肖特基功率整流器采用采用肖特基势垒
原则上在一个大面积的金属到硅功率二极管。国家的最先进的
几何特征的外延建设与氧化和钝化
金属覆盖层接触。非常适用于低电压，高频率
整改，或续流和极性保护二极管，在
表面安装的应用程序，其中紧凑的尺寸和重量是至关重要的
到系统中。国家的最先进的，这些设备具有以下
产品特点：
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
90 ， 100伏
•
•
•
•
•
•
•
无铅包可用
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
高阻断电压 - 100伏
175 ° C工作结温
Guardring应力保护
SMB
CASE 403A
塑料
标记图
AYW
B1xG
B1
x
A
Y
W
G
=器件代码
= C的MBRS1100T3
9 MBRS190T3
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
机械特性
•
案例：环氧树脂，模压
•
重量： 95毫克（大约）
•
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
•
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
•
运12毫米磁带和卷轴， 2500单位每卷
•
阴极极性带
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
DC阻断电压MBRS190T3
MBRS1100T3
平均正向电流整流
T
L
= 163°C
T
L
= 148°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温（注1 ）
变化的电压率
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
1.0
2.0
I
FSM
50
A
价值
单位
V
90
100
A
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
T
J
dv / dt的
-65到+175
10
°C
V / ns的
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.产生的热必须小于由热传导率
结至环境： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
©
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年3月 - 修订版9
出版订单号：
MBRS1100T3/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
