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MC33033DW 参数 Datasheet PDF下载

MC33033DW图片预览
型号: MC33033DW
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内容描述: 直流无刷电机控制器 [Brushless DC Motor Controller]
分类和应用: 运动控制电子器件信号电路光电二极管电动机控制电机控制器
文件页数/大小: 27 页 / 414 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MC33033 , NCV33033
输入(注2 )
传感器电气相位调整(注4 )
60°
S
A
1
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
0
1
0
V
V
S
B
0
1
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
0
1
V
V
S
C
0
0
1
1
1
0
0
0
1
1
1
0
1
0
V
V
S
A
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
0
1
1
0
V
V
120°
S
B
0
1
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
1
0
V
V
当前
S
C
0
0
0
1
1
1
0
0
0
1
1
1
1
0
V
V
F / R
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
X
X
X
X
启用
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
X
X
0
1
SENSE
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
X
X
1
A
T
0
1
1
1
1
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
1
B
T
1
0
0
1
1
1
1
1
1
1
0
0
1
1
1
1
输出(注3 )
顶驱
C
T
1
1
1
0
0
1
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
底层驱动
A
B
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
B
B
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
C
B
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
(注5 )
F / R = 1
(注5 )
F / R = 0的
(注6 )
(注7 )
(注8)
注意事项:
1, V =六个有效传感器或驱动器组合中的任何一个。
X =不在乎。
2.数字输入(引脚3,4 ,5,6 ,18,19 )都为TTL兼容。电流检测输入端(引脚12)具有相对于针脚13,一个100 mV的门槛
逻辑0此输入被定义为< 85毫伏,而逻辑1是> 115毫伏。
3.顶部驱动输出为开路集电极设计和活性在低(0)状态。
4.用60 ° / 120 ° (引脚18 )在高( 1 )状态,配置60 °传感器电气相位输入。与18引脚的低( 0 )状态,配置
120 °传感器电气相位输入。
5.有效的60°或120°的传感器组合对应的有效的顶部和底部驱动器输出。
6.无效的传感器输入;所有的顶部和底部驱动器都关闭。
7.有效的传感器输入,使能= 0 ;所有的顶部和底部驱动器都关闭。
8.有效的传感器输入,使能和电流检测= 1 ;所有的顶部和底部驱动器都关闭。
图20.三相,六步换相真值表(注1 )
电流限制
参考
的马达是严重的连续操作
过载会导致过热和最终失效。
这种破坏性条件可以最好地配合使用防止
逐周期的电流限制。也就是说,每一个导通周期
被视为一个单独的事件。逐周期的电流
限制是通过监测定子电流来实现
集结每个输出开关导通时间,并且在
检测过流情况下,应立即关闭
开关和保持它关闭的剩余时间
振荡器斜坡上升时间。定子电流被转换为
电压通过插入一个接地参考感电阻R
S
(图35)在串联的三个底部开关晶体管
(Q
4
, Q
5
, Q
6
) 。通过检测产生的电压
电阻是由电流检测输入端(引脚12)的监视,并且
相比于内部100mV的参考。如果当前
感觉阈值被超过时,比较器复位低
锁存器和终止输出开关导通。对于价值
检测电阻为:
R
+
S
I
0.1
定子(最大)
片6.25 V稳压器(引脚7 )提供充电
当前为振荡器定时电容器,对于一个参考
误差放大器,能提供的电流合适20毫安
对于直接供电的低电压应用的传感器。在
高电压应用中,可能有必要
传送由调节器关闭集成电路所消耗的功率。这
是很容易实现的另外的外部通
晶体管如图22. 6.25 V参考电平
被选择,以允许实现简单的NPN型的
电路,其中V
REF
− V
BE
超过最低电压
通过霍尔效应传感器在整个温度范围需要。同
适当的晶体管的选择,以及足够的散热,达到
可以得到负载电流的一个放大器。
欠压锁定
双锁存器的PWM配置保证了只有一个
在任何给定的发生单输出导通脉冲
振荡周期,是否终止的输出
误差放大器和电流限制比较。
双欠压锁定已被纳入到
防止损坏IC和外部电源开关
晶体管。在低电源的条件下,它
保证了集成电路和传感器是全功能的,并且
有足够的底部驱动器的输出电压。该
正电源向IC (Ⅴ
CC
)进行监视,以一
8.9 V.该电平阈值可以确保足够的栅极驱动器
要实现低R
DS ( ON)
当与接口
标准功率MOSFET器件。当直接供电
从基准,不当传感器霍尔传感器
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