MC34071,2,4 ，A MC33071,2,4 ，A ， NCV33074A
P D，最大功耗（MW ）
2400
V IO ，输入失调电压（MV ）
V
4.0
2.0
0
2000
1600
SOIC -14 PKG
1200
800
400
0
−55 −40 −20
SOIC - 8 PKG
8 & 14引脚塑料PKG
V
CC
= +15 V
V
EE
= −15 V
V
CM
= 0
−2.0
−4.0
−55
−25
0
25
50
75
100
125
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
A
，环境温度（ ° C）
T
A
，环境温度（ ° C）
图4.最大功率耗散与
温度封装类型
V ICR ，输入共模电压范围（ V）
我IB ，输入偏置电流（标准化）
图5.输入失调电压与
温度代表单位
V
CC
V
CC
V
CC
−0.8
V
CC
−1.6
V
CC
−2.4
V
EE
+0.01
V
EE
V
EE
−55
−25
0
25
50
75
100
125
V
CC
/V
EE
= +1.5 V / -1.5 V至+22 V / -22 V
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
−55
V
CC
= +15 V
V
EE
= −15 V
V
CM
= 0
−25
0
25
50
75
100
125
T
A
，环境温度（ ° C）
T
A
，环境温度（ ° C）
图6.输入共模电压
范围与温度的关系
图7.归一化输入偏置电流
与温度的关系
我IB ，输入偏置电流（标准化）
1.4
VO ，输出电压摆幅（ V）
pp
V
CC
= +15 V
V
EE
= −15 V
T
A
= 25°C
50
40
30
R
L
= 10 k
20
10
0
−12
−8.0
−4.0
0
4.0
8.0
12
0
5.0
10
15
20
25
V
IC
，输入共模电压（ V）
V
CC
, |V
EE
| ，电源电压（V ）
R
L
= 2.0 k
R
L
连接的
接地牛逼
A
= 25°C
1.2
1.0
0.8
0.6
图8.归一化输入偏置电流随
输入共模电压
图9.分割电源输出电压
摆动与电源电压
http://onsemi.com
5
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
