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MJ2955 参数 Datasheet PDF下载

MJ2955图片预览
型号: MJ2955
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内容描述: 互补硅功率晶体管 [Complementary Silicon Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 85 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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2N3055 , MJ2955
首选设备
其他芯片
功率晶体管
。 。 。设计为通用的开关和放大器
应用程序。
直流电流增益 - ^ h
FE
= 20 −70 @ I
C
= 4个ADC
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.1伏(最大) @我
C
= 4个ADC
出色的安全工作区
无铅包装是否可用
最大额定值
http://onsemi.com
等级
符号
V
首席执行官
V
CER
V
CB
V
EB
I
C
I
B
价值
60
70
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
15 A
功率晶体管
其他芯片
60 V
115 W
记号
PD ,功耗(瓦)
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集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
100
7
连续集电极电流 -
基极电流
15
7
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
P
D
115
0.657
W
W / ℃,
°C
工作和存储结温
TURE系列
T
J
, T
英镑
- 65至+ 200
TO- 204AA (TO- 3)
案例1-07
xxxx55
A
YYWW
热特性
特征
符号
R
QJC
最大
单位
xxxx55 =器件代码
XXXX = 2N3055或MJ2955
A
=大会地点
YY
=年
WW =工作周
x
= 1,2,或3个
热阻,结到外壳
1.52
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
订购信息
设备
2N3055
2N3055G
TO−204AA
TO−204AA
(无铅)
TO−204AA
TO−204AA
航运
100单位/托盘
1单位/管
2N3055H
MJ2955
100单位/托盘
100单位/托盘
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息,请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册, SOLDERRM / D 。
T
C
,外壳温度( ° C)
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
图1.功率降额
©
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年4月 - 第4版
出版订单号:
2N3055/D