MMBD914LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBD914LT1
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内容描述：	高速开关二极管 [High−Speed Switching Diode]
分类和应用：	整流二极管开关光电二极管
文件页数/大小：	3 页 / 52 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MMBD914LT1

首选设备

高速开关

二极管

特点

•

无铅包装是否可用

http://onsemi.com

最大额定值

等级

反向电压

正向电流

峰值正向浪涌电流

符号

FM （浪涌）

价值

100

200

500

单位

VDC

MADC

符号

最大

225

1.8

qJA

器件总功耗

氧化铝基板（注2）

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

qJA

结温和存储温度

范围

, T

英镑

417

-55到+150

556

300

2.4

单位

毫瓦/°C的

° C / W

SOT−23

CASE 318

风格8

阴极

阳极

热特性

特征

器件总功耗

FR - 5委员会（注1 ）

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

标记图

毫瓦/°C的

° C / W

°C

5D M

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

反向击穿电压

= 100

MADC ）

反向电压漏电流

= 20 V直流）

= 75 VDC ）

二极管电容

= 0中，f = 1.0 MHz）的

正向电压

= 10 MADC ）

反向恢复时间

= I

= 10 MADC ）（图1）

（ BR ）

−

5.0

4.0

1.0

4.0

NADC

MADC

VDC

100

−

VDC

符号

民

最大

单位

5D =器件代码

=日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或横线可能

这取决于制造地点而有所不同。

订购信息

设备

MMBD914LT1

MMBD914LT1G

MMBD914LT3

MMBD914LT3G

包

SOT−23

（无铅）

SOT−23

（无铅）

航运

†

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

† 。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年1月 - 修订版5

出版订单号：

MMBD914LT1/D

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