ON Semiconductort
通用晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
2222
30
60
5.0
600
2222A
40
75
6.0
单位
VDC
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1*
·安森美半导体首选设备
3
VDC
VDC
MADC
1
2
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板，
(2)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236 ）
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
符号
民
最大
单位
器件标识
MMBT2222LT1 = M1B ; MMBT2222ALT1 = 1P
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 3.0伏）
集电极截止电流（V
CB
= 50伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 50伏直流，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
发射极截止电流（V
EB
= 3.0伏，我
C
= 0)
底座截止电流（V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 3.0伏）
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222A
MMBT2222A
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
30
40
60
75
5.0
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
0.01
0.01
10
10
100
20
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
I
EBO
I
BL
NADC
NADC
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
©
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 第1版
出版订单号：
MMBT2222LT1/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
