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    MMBT2222ALT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222ALT1G图片预览
    型号： MMBT2222ALT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 122 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第7页  
    MMBT2222LT1G,
    MMBT2222ALT1G
    通用晶体管
    NPN硅
    特点
    http://onsemi.com
    集热器
    3
    •
    这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
    柔顺
    最大额定值
    等级
    集热器
    ：辐射源
    电压
    MMBT2222LT1G
    MMBT2222ALT1G
    集热器
    ： BASE
    电压
    MMBT2222LT1G
    MMBT2222ALT1G
    MMBT2222LT1G
    MMBT2222ALT1G
    符号
    V
    首席执行官
    价值
    30
    40
    60
    75
    5.0
    6.0
    600
    1100
    单位
    VDC
    1
    BASE
    2
    辐射源
    3
    V
    CBO
    VDC
    辐射源
    ： BASE
    电压
    V
    EBO
    VDC
    1
    2
    SOT−23
    CASE 318
    类型6
    集电极电流
    −
    连续
    集电极电流
    −
    峰值（注3 ）
    I
    C
    I
    CM
    MADC
    MADC
    热特性
    特征
    器件总功耗FR- 5局
    （注1 ）T
    A
    = 25°C
    减免上述25℃
    热阻，结到环境
    器件总功耗氧化铝
    基板（注2 ）T
    A
    = 25°C
    减免上述25℃
    热阻，结到环境
    结温和存储温度范围
    符号
    P
    D
    最大
    225
    1.8
    556
    300
    2.4
    417
    −55
    +150
    单位
    mW
    毫瓦/°C的
    ° C / W
    mW
    毫瓦/°C的
    ° C / W
    °C
    1
    XXX = 1P或M1B
    M =日期代码*
    G
    = Pb-Free包装
    （注：微球可在任一位置）
    *日期代码的方向和/或横线可能
    这取决于制造地点而有所不同。
    标记图
    R
    qJA
    P
    D
    XXX M
    G
    G
    R
    qJA
    T
    J
    , T
    英镑
    强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
    额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
    工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
    推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
    1， FR - 5 = 1.0
    
    0.75
    
    0.062英寸
    2.氧化铝= 0.4
    
    0.3
    
    0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
    3. SOA参考曲线。
    订购信息
    请参阅包装详细的订购和发货信息
    尺寸部分本数据手册第6页。
    ©
    半导体元件工业有限责任公司， 2010
    2009年10月
    −
    9牧师
    1
    出版订单号：
    MMBT2222LT1/D

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