欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MMBT3904LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3904LT1G图片预览
型号: MMBT3904LT1G
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 114 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第7页  
MMBT3904LT1G
通用晶体管
NPN硅
特点
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
集电极电流
峰值(注3 )
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
价值
40
60
6.0
200
900
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注1 ) @T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗氧化铝
基底, (注2)
@T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
单位
1
mW
毫瓦/°C的
° C / W
2
3
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
类型6
R
qJA
P
D
标记图
上午01点M
G
G
1
上午01点=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
−55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3. SOA参考曲线。
订购信息
设备
MMBT3904LT1G
MMBT3904LT3G
航运
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
SOT- 23万/磁带&卷轴
(无铅)
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2011
2011年1月
启示录10
1
出版订单号:
MMBT3904LT1/D