MMBT5401LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT5401LT1G
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内容描述：	高压晶体管（ PNP硅） [High Voltage Transistor(PNP Silicon)]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管开关光电二极管高压
文件页数/大小：	6 页 / 95 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MMBT5401LT1

首选设备

高压晶体管

PNP硅

特点

•

无铅包可用

最大额定值

等级

集电极发射极电压

集电极基极电压

发射极基极电压连续

连续集电极电流 -

符号

首席执行官

CBO

EBO

价值

−150

−160

−5.0

−500

单位

VDC

MADC

http://onsemi.com

集热器

BASE

辐射源

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

记号

图

热特性

特征

器件总功耗

FR - 5委员会（注1 ）

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

器件总功耗

氧化铝基板（注2）

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

qJA

556

300

2.4

qJA

, T

英镑

417

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

2L =器件代码

M =月守则

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318

类型6

2L M

订购信息

设备

MMBT5401LT1

MMBT5401LT1G

MMBT5401LT3

MMBT5401LT3G

包

SOT−23

（无铅）

SOT−23

航运

†

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024 99.5 ％的氧化铝。

SOT- 23万带&卷轴

（无铅）

† 。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年1月 - 第4版

出版订单号：

MMBT5401LT1/D

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