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    MMBTA92 参数 Datasheet PDF下载

    MMBTA92图片预览
    型号： MMBTA92
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高压晶体管PNP硅 [High Voltage Transistors PNP Silicon]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管高压
    文件页数/大小： 4 页 / 102 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBTA92的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBTA92的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBTA92的Datasheet PDF文件第4页  
    MMBTA92LT1G ， MMBTA93LT1G
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    符号
    民
    最大
    单位
    开关特性
    集热器
    ：辐射源
    击穿电压（注3 ）
    (I
    C
    =
    −1.0
    MADC ，我
    B
    = 0)
    集热器
    ： BASE
    击穿电压
    (I
    C
    =
    −100
    MADC ，
    I
    E
    = 0)
    辐射源
    ： BASE
    击穿电压
    (I
    E
    =
    −100
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    收藏家Cuto FF电流
    (V
    CB
    =
    −200
    VDC ，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    =
    −160
    VDC ，我
    E
    = 0)
    发射Cuto FF电流
    (V
    EB
    =
    −3.0
    VDC ，我
    C
    = 0)
    MMBTA92
    MMBTA93
    MMBTA92
    MMBTA93
    MMBTA92
    MMBTA93
    V
    （ BR ） CEO
    VDC
    −300
    −200
    −300
    −200
    −5.0
    −
    −
    VDC
    −
    −
    −
    VDC
    MADC
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    −
    −
    −
    −0.25
    −0.25
    −0.1
    I
    EBO
    MADC
    基本特征
    （注3）
    直流电流增益
    (I
    C
    =
    −1.0
    MADC ，V
    CE
    =
    −10
    VDC ）
    (I
    C
    =
    −10
    MADC ，V
    CE
    =
    −10
    VDC ）
    (I
    C
    =
    −30
    MADC ，V
    CE
    =
    −10
    VDC ）
    集热器
    ：辐射源
    饱和电压
    (I
    C
    =
    −20
    MADC ，我
    B
    =
    −2.0
    MADC ）
    基射极饱和电压
    (I
    C
    =
    −20
    MADC ，我
    B
    =
    −2.0
    MADC ）
    这两种类型
    这两种类型
    MMBTA92
    MMBTA93
    MMBTA92
    MMBTA93
    V
    CE （ SAT ）
    h
    FE
    −
    25
    40
    25
    25
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    VDC
    −0.5
    −0.5
    −0.9
    VDC
    V
    BE （ SAT ）
    小信号特性
    当前
    ΔGAIN
    - 带宽积
    (I
    C
    =
    −10
    MADC ，V
    CE
    =
    −20
    VDC ， F = 100兆赫）
    集电极 - 基极电容
    (V
    CB
    =
    −20
    VDC ，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    3.脉冲测试：脉冲宽度
    v
    300
    女士，
    占空比
    v
    2.0%.
    MMBTA92
    MMBTA93
    f
    T
    C
    cb
    50
    −
    兆赫
    pF
    −
    −
    6.0
    8.0
    300
    250
    ^ h FE ， DC电流增益
    200
    25°C
    150
    -55°C
    100
    50
    0
    0.1
    1.0
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    10
    100
    T
    J
    = +125°C
    V
    CE
    = 10 VDC
    图1.直流电流增益
    http://onsemi.com
    2

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