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    MMPQ2222A 参数 Datasheet PDF下载

    MMPQ2222A图片预览
    型号： MMPQ2222A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 四路通用晶体管NPN硅 [Quad General Purpose Transistor NPN Silicon]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 182 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMPQ2222A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMPQ2222A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMPQ2222A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMPQ2222A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMPQ2222A的Datasheet PDF文件第6页  
    MMPQ2222A
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    符号
    民
    典型值
    最大
    单位
    开关特性
    集热器
    ：辐射源
    击穿电压（注1 ）
    (I
    C
    = 10 MADC ，我
    B
    = 0)
    集热器
    ： BASE
    击穿电压
    (I
    C
    = 10
    MADC ，
    I
    E
    = 0)
    辐射源
    ： BASE
    击穿电压
    (I
    B
    = 10
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    收藏家Cuto FF电流
    (V
    CB
    = 50伏直流，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    = 60 VDC ，我
    E
    = 0)
    发射Cuto FF电流
    (V
    EB
    = 3.0伏，我
    C
    = 0)
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    40
    75
    5.0
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    50
    10
    100
    NADC
    VDC
    VDC
    VDC
    NADC
    I
    EBO
    基本特征
    直流电流增益（注1 ）
    (I
    C
    = 100
    毫安，
    V
    CE
    = 10 V)
    (I
    C
    = 1.0毫安， V
    CE
    = 10 V)
    (I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    = 10 V)
    (I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    = 10 V)
    (I
    C
    = 500毫安， V
    CE
    = 10 V)
    (I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    = 1.0 V)
    集热器
    ：辐射源
    饱和电压（注1 ）
    (I
    C
    = 150 MADC ，我
    B
    = 15 MADC ）
    (I
    C
    = 500 MADC ，我
    B
    = 50 MADC ）
    BASE
    ：辐射源
    饱和电压（注1 ）
    (I
    C
    = 150 MADC ，我
    B
    = 15 MADC ）
    (I
    C
    = 500 MADC ，我
    B
    = 50 MADC ）
    h
    FE
    −
    35
    50
    75
    100
    40
    50
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    300
    −
    −
    VDC
    0.3
    1.0
    VDC
    1.2
    2.0
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    动态特性
    当前
    - 获得 -
    带宽积（注1 ）
    (I
    C
    = 20 MADC ，V
    CE
    = 20伏， F = 100兆赫）
    输出电容
    (V
    CB
    = 10 VDC ，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入电容
    (V
    EB
    = 0.5伏，我
    C
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    f
    T
    C
    ob
    C
    ib
    200
    −
    −
    350
    4.5
    17
    −
    −
    −
    兆赫
    pF
    pF
    开关特性
    开启时间
    (V
    CC
    = 30伏直流电，V
    BE （OFF）的
    =
    −0.5
    VDC ，我
    C
    = 150 MADC ，
    I
    B1
    = 15 MADC ）
    关断时间
    (V
    CC
    = 30伏直流电，我
    C
    = 150 MADC ，我
    B1
    = I
    B2
    = 15 MADC ）
    1.脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300
    女士，
    占空比
    ≤
    2%.
    t
    on
    −
    25
    −
    ns
    t
    关闭
    −
    250
    −
    ns
    http://onsemi.com
    2

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