MPSA42 MPSA43
120
100
的hFE ， DC电流增益
80
60
40
–55°C
20
0
0.1
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
10
100
25°C
TJ = + 125°C
VCE = 10 VDC
图1.直流电流增益
100
CEB @ 1MHz的
C，电容（pF ）
F T ，电流增益 - 带宽（MHz ）
80
70
60
50
40
30
20
10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
IC ，集电极电流（毫安）
TJ = 25°C
VCE = 20 V
F = 20MHz的
50 70 100
10
1.0
建行@ 1MHz的
0.1
0.1
1.0
10
100
VR ，反向电压（伏）
1000
图2.电容
图3.电流增益 - 带宽
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
VCE （SAT） @ 25 ° C， IC / IB = 10
VCE （SAT） @ 125°C ， IC / IB = 10
VCE （SAT） @ -55°C ， IC / IB = 10
VBE （星期六） @ 25 ° C， IC / IB = 10
VBE （星期六） @ 125°C ， IC / IB = 10
VBE （星期六） @ -55°C ， IC / IB = 10
VBE （ ON） @ 25°C ， VCE = 10 V
VBE （上） @ 125°C ， VCE = 10 V
VBE （ ON） @ -55°C ， VCE = 10 V
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4. “开”电压
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
