软橙
1.
2.
2.1
2.2
产品编号: 180622
本规范适用于砷化镓/间隙LED芯片
结构
台面结构
电极
p侧(阳极)
n侧(阴极)
Au合金
Au合金
3.
纲要(以微米尺寸)
对电极
对外延的GaP
正外延的GaP
250
235
n电极
正外延的GaP
正的GaP衬底
235
110
引线键合的接触也可以是正方形
4.
电气和光学特性(T = 25℃)
参数
正向电压
反向电流
发光强度*
符号
V
F
I
R
I
V
条件
I
F
= 2毫安
V
R
= 5 V
I
F
= 2毫安
民
典型值
1,85
最大
2,00
10
单位
V
µA
cd
nm
180
250
峰值波长
λ
P
I
F
= 2毫安
610
*根据要求,晶片会根据发光强度交付班
在OSA金板亮度测量
5.
填料
骰子上的胶膜,顶部1 )引线键合方
2 )在上面背接触
6.
标签
TYPE
LOT号
I
V
典型值
民
最大
QUANTITY
© 2004
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