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    MA4S713 参数 Datasheet PDF下载

    MA4S713图片预览
    型号： MA4S713
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅外延平面型 [Silicon epitaxial planar type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 48 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MA4S713的Datasheet PDF文件第1页  
    MA4S713
    I
    F
    V
    F
    10
    3
    1.6
    1.4
    Schottky Barrier Diodes (SBD)
    V
    F
    T
    a
    10
    3
    I
    R
    V
    R
    10
    2
    75°C 25°C
    10
    2
    Forward current I
    F
    (mA)
    Forward voltage V
    F
    (V)
    T
    a
    =
    125°C
    10
    −
    20°C
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    3 mA
    0.2
    1 mA
    Reverse current I
    R
    (
    µA
    )
    T
    a
    =
    125°C
    10
    75°C
    I
    F
    =
    30 mA
    1
    1
    10
    −1
    10
    −1
    25°C
    10
    −2
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    0
    −40
    10
    −2
    0
    40
    80
    120
    160
    200
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    Forward voltage V
    F
    (V)
    Ambient temperature T
    a
    (
    °C
    )
    Reverse voltage V
    R
    (V)
    I
    R
    T
    a
    1 000
    C
    t
    V
    R
    3.0
    1 000
    I
    F(surge)
    t
    W
    T
    a
    =
    25°C
    Terminal capacitance C
    t
    (pF)
    100
    2.5
    Forward surge current I
    F(surge)
    (A)
    300
    t
    W
    100
    30
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    I
    F(surge)
    Reverse current I
    R
    (
    µA
    )
    V
    R
    =
    30 V
    10 V
    1V
    2.0
    10
    1.5
    1
    1.0
    0.1
    0.5
    0.01
    −40
    0
    0
    40
    80
    120
    160
    200
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    30 60
    Ambient temperature T
    a
    (
    °C
    )
    Reverse voltage V
    R
    (V)
    Pulse width t
    W
    (ms)
    2

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