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2SA1022 参数 Datasheet PDF下载

2SA1022图片预览
型号: 2SA1022
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SA1022的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SA1022
PNP硅外延平面型
用于高频放大
补充2SC2295
单位:mm
s
特点
q
q
2.8
–0.3
0.65±0.15
+0.2
+0.25
1.5
–0.05
0.65±0.15
0.95
高转换频率f
T
.
迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装盒自动插入
包装。
(Ta=25˚C)
0.95
2.9
–0.05
1
1.9±0.2
+0.2
3
0.4
–0.05
+0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
2
1.45
+0.2
1.1
–0.1
评级
–30
–20
–5
–30
200
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
˚C
˚C
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
JEDEC : TO- 236
EIAJ : SC- 59
迷你型包装
标记符号
: E
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
噪声系数
反向传输阻抗
共发射极反向传输
电容
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
NF
Z
rb
C
re
条件
V
CB
= -10V ,我
E
= 0
V
CE
= -20V ,我
B
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 1mA时, F = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 1mA时, F = 5MHz时
V
CB
= -10V ,我
E
= 1mA时, F = 2MHz的
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA
F = 10.7MHz的
150
70
– 0.1
– 0.7
300
2.8
22
1.2
典型值
最大
– 0.1
–100
–10
220
V
V
兆赫
dB
pF
单位
µA
µA
µA
*
h
FE
等级分类
h
FE
B
70 ~ 140
EB
C
110 ~ 220
EC
标记符号
0-0.1
为0.1〜 0.3
0.4±0.2
0.8
0.16
–0.06
+0.1
1