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    2SB1462J 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1462J图片预览
    型号： 2SB1462J
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 对于一般的放大 [For general amplification]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 68 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1462J的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1462J的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SB1462J
    PNP硅外延平面型
    1.60
    +0.05
    –0.03
    0.80
    ±0.05
    单位：mm
    0.12
    +0.03
    –0.01
    对于一般的放大
    补充2SD2216J
    ■
    特点
    •
    高正向电流传输比H
    FE
    •
    SS-迷你型封装，设备，允许小型化，
    通过带包装自动插入
    1.00
    ±0.05
    3
    1.60
    ±0.05
    0.85
    +0.05
    –0.03
    1
    0.27
    ±0.02
    2
    (0.50)(0.50)
    0至0.02
    (0.80)
    5˚
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    −60
    −50
    −7
    −100
    −200
    125
    125
    −55
    to
    +125
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    °C
    °C
    0.10最大。
    参数
    符号
    等级
    单位
    0.70
    +0.05
    –0.03
    1 ：基本
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    EIAJ ：SC- 89
    SSMini3 -F1套餐
    标识标志：
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    正向电流传输比
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    *1
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    I
    C
    = −10 µA,
    I
    E
    =
    0
    I
    C
    = −100 µA,
    I
    B
    =
    0
    I
    E
    = −10 µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CB
    = −20
    V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = −10
    V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −2
    mA
    I
    C
    = −100
    妈，我
    B
    = −10
    mA
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    1毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    民
    −60
    −50
    −7
    典型值
    最大
    5˚
    单位
    V
    V
    V
    −
    0.1
    −100
    180
    −
    0.3
    80
    2.7
    390
    −
    0.5
    兆赫
    pF
    注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
    (0.375)
    µA
    µA
    V
    出版日期： 2003年1月
    SJC00087BED
    1

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