功率晶体管
2SB0950
(2SB950)
， 2SB0950A
(2SB950A)
PNP硅外延平面型达林顿
单位：mm
0.7
±0.1
对于功率放大和开关
补充2SD1276和2SD1276A
■
特点
•
高正向电流传输比H
FE
•
高速开关
•
这可以用一个螺钉被安装到散热器的全包包
16.7
±0.3
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SB0950
2SB0950A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
a
=
25°C
T
j
T
英镑
等级
−60
−80
−60
−80
−5
−4
−8
40
2
150
−55
to
+150
单位
V
浸焊
(4.0)
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
14.0
±0.5
4.2
±0.2
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8
±0.1
2.54
±0.3
集电极 - 发射极电压2SB0950
（基地开）
2SB0950A
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
V
5.08
±0.5
V
A
A
W
B
°C
°C
1 2 3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ： SC- 67
TO- 220F -A1套餐
内部连接
C
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
（基地开）
基射极电压
集电极 - 基极截止
电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止
电流（基地开）
2SB0950
2SB0950A
2SB0950
2SB0950A
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
首席执行官
2SB0950
2SB0950A
V
BE
I
CBO
V
CE
= −3
V，I
C
= −3
A
V
CB
= −60
V，I
E
=
0
V
CB
= −80
V，I
E
=
0
V
CE
= −30
V，I
B
=
0
V
CE
= −40
V，I
B
=
0
V
EB
= −5
V，I
C
=
0
V
CE
= −3
V，I
C
= −
0.5 A
V
CE
= −3
V，I
C
= −3
A
I
C
= −3
A，I
B
= −12
mA
I
C
= −5
A，I
B
= −20
mA
V
CE
= −10
V，I
C
= −
0.5 A，F
=
1兆赫
I
C
= −3
A，I
B1
= −12
妈，我
B2
=
12毫安
V
CC
= −50
V
20
0.3
2
0.5
1 000
1 000
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= −30
妈，我
B
=
0
民
−60
−80
典型值
E
最大
单位
V
−2.5
−200
−200
−500
−500
−2
10 000
−2
−4
V
V
兆赫
µs
µs
µs
mA
µA
V
µA
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE2
R
1 000〜 2 500
Q
P
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年4月
c
2 000〜 5 000 4 000 10 000
1
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
