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2SC3979 参数 Datasheet PDF下载

2SC3979图片预览
型号: 2SC3979
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面类型(高击穿电压高速开关) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 3 页 / 62 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
2SC3979 , 2SC3979A
硅NPN三重扩散平面型
对于高击穿电压的高速开关
单位:mm
0.7±0.1
q
q
q
q
q
高速开关
高集电极到基极电压V
CBO
安全运行的广域( ASO )
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25˚C)
评级
900
1000
900
1000
800
7
5
3
1
40
2
150
-55到+150
单位
V
4.2±0.2
s
特点
16.7±0.3
10.0±0.2
5.5±0.2
4.2±0.2
2.7±0.2
7.5±0.2
φ3.1±0.1
4.0
1.7±0.2
浸焊
1.3±0.2
1.05±0.1
0.8±0.1
0.5
–0.1
2.54±0.3
+0.2
参数
集电极
基极电压
集电极
2SC3979
2SC3979A
2SC3979
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
14.0±0.5
s
绝对最大额定值
5.08±0.5
发射极电压2SC3979A
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220全包套餐(二)
P
C
T
j
T
英镑
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
2SC3979
2SC3979A
(T
C
=25˚C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 900V ,我
E
= 0
V
CB
= 1000V ,我
E
= 0
V
EB
= 7V ,我
C
= 0
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.8A
I
C
= 0.8A ,我
B
= 0.16A
I
C
= 0.8A ,我
B
= 0.16A
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.15A , F = 1MHz的
I
C
= 0.8A ,我
B1
= 0.16A ,我
B2
= – 0.32A,
V
CC
= 250V
10
0.7
2.5
0.3
800
8
6
1.5
1.5
V
V
兆赫
µs
µs
µs
典型值
最大
50
50
50
单位
µA
µA
V
1