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2SC4953 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC4953
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面类型(高击穿电压高速开关) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 2 页 / 45 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SC4953的Datasheet PDF文件第2页  
功率晶体管
2SC4953
硅NPN三重扩散平面型
对于高击穿电压的高速开关
单位:mm
s
特点
q
q
q
q
q
9.9±0.3
3.0±0.5
4.6±0.2
2.9±0.2
高速开关
高集电极到基极电压V
CBO
安全运行的广域( ASO )
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
包的介电击穿电压: > 5kV的
(T
C
=25˚C)
评级
500
500
400
7
6
3
1.2
30
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
15.0±0.5
φ3.2±0.1
13.7±0.2
4.2±0.2
1.4±0.2
1.6±0.2
0.8±0.1
2.6±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
0.55±0.15
1
2
2.54±0.3
3 5.08±0.5
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220D全包套餐
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
(T
C
=25˚C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 500V ,我
E
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 1.2A
I
C
= 1.5A ,我
B
= 0.3A
I
C
= 1.5A ,我
B
= 0.3A
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.2A , F = 1MHz的
I
C
= 1.5A ,我
B1
= 0.15A ,我
B2
= – 0.3A,
V
CC
= 200V
10
1.0
3.0
0.3
400
10
8
40
1.0
1.5
V
V
兆赫
µs
µs
µs
典型值
最大
100
100
单位
µA
µA
V
1