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    2SC5904 参数 Datasheet PDF下载

    2SC5904图片预览
    型号： 2SC5904
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN三重扩散台面型 [Silicon NPN triple diffusion mesa type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 78 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC5904的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5904的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SC5904
    硅NPN三重扩散台面型
    对于水平偏转输出电视， CRT显示器
    15.5
    ±0.5
    (10.0)
    单位：mm
    φ
    3.2
    ±0.1
    5˚
    (4.5)
    ■
    特点
    •
    高的击穿电压（V
    CBO
    ≥
    1 700 V)
    •
    高速开关（T
    f
    ＆ LT ;
    200纳秒）
    •
    广泛的安全工作区
    26.5
    ±0.5
    3.0
    ±0.3
    5˚
    (23.4)
    (2.0)
    5˚
    (4.0)
    2.0
    ±0.2
    1.1
    ±0.1
    0.7
    ±0.1
    5.45
    ±0.3
    10.9
    ±0.5
    5.5
    ±0.3
    5˚
    5˚
    ■
    绝对最大额定值
    T
    C
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（E -B的短）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    基极电流
    集电极电流
    峰值集电极电流
    *
    集电极耗散功率
    T
    a
    =
    25°C
    结温
    储存温度
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    V
    CES
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    B
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    等级
    1 700
    1 700
    600
    7
    8
    17
    27
    65
    3.5
    150
    −55
    to
    +150
    °C
    °C
    单位
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    3.3
    ±0.3
    18.6
    ±0.5
    (2.0)
    浸焊
    5˚
    1
    2
    3
    (2.0)
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    TOP- 3E -A1套餐
    标记符号： C5904
    内部连接
    C
    B
    注）* ：非重复性峰值集电极电流
    E
    ■
    电气特性
    T
    C
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    t
    英镑
    t
    f
    条件
    V
    CB
    =
    1 000 V，I
    E
    =
    0
    V
    CB
    =
    1 700 V，I
    E
    =
    0
    发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    贮存时间
    下降时间
    V
    EB
    =
    7 V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    =
    5 V，I
    C
    =
    8.5 A
    I
    C
    =
    8.5 A，I
    B
    =
    2.13 A
    I
    C
    =
    8.5 A，I
    B
    =
    2.13 A
    V
    CE
    =
    10 V，I
    C
    =
    0.1 A，F
    =
    0.5兆赫
    I
    C
    =
    8.5 A，电阻负载
    I
    B1
    =
    2.13 A，I
    B2
    = −4.25
    A
    3
    3.0
    0.2
    5
    民
    典型值
    最大
    50
    1
    50
    12
    3
    1.5
    单位
    µA
    mA
    µA
    V
    V
    兆赫
    µs
    µs
    注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
    22.0
    ±0.5
    (1.2)
    出版日期： 2004年2月
    SJD00305AED
    1

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