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    2SD1266 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1266图片预览
    型号： 2SD1266
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN三重扩散平面类型（功率放大） [Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 49 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD1266的Datasheet PDF文件第2页  
    功率晶体管
    2SD1266 ， 2SD1266A
    硅NPN三重扩散平面型
    进行功率放大
    补充2SB941和2SB941A
    s
    特点
    q
    q
    q
    单位：mm
    0.7±0.1
    10.0±0.2
    5.5±0.2
    2.7±0.2
    4.2±0.2
    φ3.1±0.1
    1.4±0.1
    1.3±0.2
    0.5
    +0.2
    –0.1
    0.8±0.1
    2.54±0.25
    5.08±0.5
    1
    2
    3
    4.2±0.2
    (T
    C
    =25˚C)
    评级
    60
    80
    60
    80
    6
    5
    3
    35
    2
    150
    -55到+150
    单位
    参数
    集电极
    基极电压
    集电极
    2SD1266
    2SD1266A
    2SD1266
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    14.0±0.5
    发射极电压2SD1266A
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极电流T
    C
    =25°C
    耗散
    Ta=25°C
    结温
    储存温度
    V
    V
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    浸焊
    4.0
    V
    16.7±0.3
    s
    绝对最大额定值
    7.5±0.2
    高正向电流传输比H
    FE
    它具有良好的线性度
    低集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    可与被安装在散热片的全包包
    一颗螺丝
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    TO- 220全包套餐（一）
    s
    电气特性
    参数
    集电极截止
    当前
    集电极截止
    当前
    发射Cuto FF电流
    集电极到发射极
    电压
    2SD1266
    2SD1266A
    2SD1266
    2SD1266A
    2SD1266
    2SD1266A
    (T
    C
    =25˚C)
    符号
    I
    CES
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    V
    首席执行官
    h
    FE1*
    h
    FE2
    V
    BE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    条件
    V
    CE
    = 60V, V
    BE
    = 0
    V
    CE
    = 80V, V
    BE
    = 0
    V
    CE
    = 30V ，我
    B
    = 0
    V
    CE
    = 60V ，我
    B
    = 0
    V
    EB
    = 6V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = 30mA时我
    B
    = 0
    V
    CE
    = 4V ，我
    C
    = 1A
    V
    CE
    = 4V ，我
    C
    = 3A
    V
    CE
    = 4V ，我
    C
    = 3A
    I
    C
    = 3A ，我
    B
    = 0.375A
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 0.5A ， F = 10MHz时
    I
    C
    = 1A ，我
    B1
    = 0.1A ，我
    B2
    = – 0.1A,
    V
    CC
    = 50V
    30
    0.5
    2.5
    0.4
    60
    80
    70
    10
    1.8
    1.2
    V
    V
    兆赫
    µs
    µs
    µs
    250
    民
    典型值
    最大
    200
    200
    300
    300
    1
    单位
    µA
    µA
    mA
    V
    正向电流传输比
    基地发射极电压
    集电极到发射极饱和电压
    跃迁频率
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    *
    h
    FE1
    等级分类
    Q
    70至150
    P
    120至250
    秩
    h
    FE1
    注：订货可以通过共同的秩进行PQ（秩​​ħ
    FE
    = 70〜 250）中的等级分类。
    1

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