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    2SD1273 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1273图片预览
    型号： 2SD1273
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型（适用于功率放大） [Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 56 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD1273的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1273的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SB1299
    PNP硅外延平面型
    进行功率放大
    补充2SD1273
    0.7±0.1
    10.0±0.2
    5.5±0.2
    2.7±0.2
    4.2±0.2
    单位：mm
    4.2±0.2
    s
    特点
    q
    q
    q
    高盼着电流传输比H
    FE
    的盼着电流传输比H良好的线性
    FE
    可与被安装在散热片的全包包
    一颗螺丝
    7.5±0.2
    16.7±0.3
    φ3.1±0.1
    14.0±0.5
    s
    4.0
    绝对最大额定值
    (T
    C
    =25˚C)
    参数
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    I
    B
    Ta=25°C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    评级
    –60
    –60
    –6
    –6
    –3
    –1
    40
    2
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    1.4±0.1
    1.3±0.2
    浸焊
    0.5
    +0.2
    –0.1
    0.8±0.1
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    基极电流
    集电极电流T
    C
    =25°C
    耗散
    结温
    储存温度
    2.54±0.25
    5.08±0.5
    1
    2
    3
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    TO- 220全包套餐（一）
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极到发射极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    跃迁频率
    *
    h
    (T
    C
    =25˚C)
    符号
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    V
    首席执行官
    h
    FE *
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    条件
    V
    CB
    = -60V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = -40V ，我
    B
    = 0
    V
    EB
    = -6V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = -25mA ，我
    B
    = 0
    V
    CE
    = -4V ，我
    C
    = – 0.5A
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    = – 0.05A
    V
    CE
    = -12V ，我
    C
    = - 0.2A ， F = 10MHz时
    30
    –60
    300
    700
    –1
    V
    兆赫
    民
    典型值
    最大
    –100
    –100
    –100
    单位
    µA
    µA
    µA
    V
    FE
    等级分类
    Q
    300至500
    P
    400〜700
    h
    FE
    秩
    1

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