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2SD1480 参数 Datasheet PDF下载

2SD1480图片预览
型号: 2SD1480
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面类型(功率放大) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 2 页 / 48 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD1480的Datasheet PDF文件第2页  
功率晶体管
2SD1480
硅NPN三重扩散平面型
进行功率放大
补充2SB1052
单位:mm
0.7±0.1
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
φ3.1±0.1
1.4±0.1
1.3±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
3
4.2±0.2
s
特点
q
q
q
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的
线性
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25˚C)
评级
60
60
6
4
2
25
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
˚C
˚C
16.7±0.3
14.0±0.5
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
浸焊
s
绝对最大额定值
4.0
7.5±0.2
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220全包套餐(一)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
(T
C
=25˚C)
符号
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CE
= 60V, V
BE
= 0
V
CE
= 30V ,我
B
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 4V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 4V ,我
C
= 1A
V
CE
= 4V ,我
C
= 1A
I
C
= 2A ,我
B
= 0.2A
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.5A , F = 1MHz的
I
C
= 1A ,我
B1
= 0.1A ,我
B2
= – 0.1A,
V
CC
= 50V
20
0.2
3.5
0.7
60
35
70
250
1.2
2
V
V
兆赫
µs
µs
µs
典型值
最大
200
300
1
单位
µA
µA
mA
V
FE2
等级分类
Q
70至150
P
120至250
h
FE2
1