晶体管
2SD1511
NPN硅外延平面型达林顿
单位：mm
对于低频输出放大
s
特点
2.6±0.1
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
q
q
q
正向电流传输比H
FE
设计高，这是AP-
propriate到电机和打印机·巴默尔的驱动器电路：小时
FE
= 4000至2000年。
分流电阻器从驱动器被删去。
小功率型封装，设备的小型化使
并通过带包装和maga-自动插入
杂志包装。
(Ta=25˚C)
0.4max.
45°
1.0
–0.2
+0.1
0.4±0.08
0.5±0.08
1.5±0.1
3.0±0.15
3
2
1
4.0
–0.20
0.4±0.04
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
记号
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
评级
100
80
5
1.5
1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
˚C
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ：SC- 62
迷你功率型封装
标记符号：
P
内部连接
˚C
B
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE*1
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
条件
V
CB
= 25V ，我
E
= 0
V
EB
= 4V ，我
C
= 0
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 100μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1A
*2
I
C
= 1.0A ，我
B
= 1.0毫安
*2
I
C
= 1.0A ，我
B
= 1.0毫安
*2
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
150
*2
E
民
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
V
V
V
100
80
5
4000
40000
1.8
2.2
兆赫
脉冲测量
*1
h
FE
等级分类
秩
h
FE
Q
R
S
4000 ~ 10000 8000 ~ 20000 16000 ~ 40000
PQ
PR
PS
标记符号
2.5±0.1
+0.25
V
V
1
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
