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2SD1938 参数 Datasheet PDF下载

2SD1938图片预览
型号: 2SD1938
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内容描述: NPN硅外延平面型 [Silicon NPN epitaxial planar type]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 88 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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晶体管
2SD1938(F)
NPN硅外延平面型
用于低电压输出放大
静音
用于DC-DC转换器
特点
低导通电阻R
on
高正向电流传输比H
FE
迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装自动插入
1
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
10˚
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
单位:mm
0.16
+0.10
–0.06
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
20
25
300
500
200
150
−55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 59
JEDEC : SOT- 346
Mini3 -G1封装
标记代号: 3W
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压(基本开)
基射极电压
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
*1
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
抗性
*2
符号
V
首席执行官
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
R
on
条件
I
C
=
1毫安,我
B
=
0
V
CE
=
2 V,I
C
=
4毫安
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
EB
=
25 V,I
C
=
0
V
CE
= 2 V,I
C
= 4毫安
I
C
=
30毫安,我
B
=
3毫安
V
CB
=
6 V,I
E
= −4
毫安,女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
1.0
80
7
500
20
0.6
0.1
0.1
2 500
0.1
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
V
兆赫
pF
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * 1 :评价等级分类
*2: R
on
Measuremet电路
h
FE
S
500〜 1 500
T
800〜 2 500
没有排名
500〜 2 500
I
B
=
1毫安
1 kΩ
0-0.1
没等级分类产品不显着。
V
B
V
V
V
A
f
=
1千赫
V
=
0.3 V
R
on
=
V
B
×
1 000 (Ω)
V
A
V
B
0.4
±0.2
出版日期: 2004年8月
SJC00313AED
1