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2SD2374 参数 Datasheet PDF下载

2SD2374图片预览
型号: 2SD2374
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面类型(功率放大) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 47 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD2374的Datasheet PDF文件第2页  
功率晶体管
2SD2374 , 2SD2374A
硅NPN三重扩散平面型
进行功率放大
补充2SB1548和2SB1548A
单位:mm
s
特点
q
q
q
15.0±0.5
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25˚C)
评级
60
80
60
80
6
5
3
25
2
150
-55到+150
单位
9.9±0.3
3.0±0.5
4.6±0.2
2.9±0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD2374
2SD2374A
2SD2374
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
φ3.2±0.1
13.7±0.2
4.2±0.2
1.4±0.2
1.6±0.2
0.8±0.1
2.6±0.1
V
0.55±0.15
发射极电压2SD2374A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
1
2
2.54±0.3
3 5.08±0.5
V
A
A
W
˚C
˚C
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220D全包套餐
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
发射极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE1
(T
C
=25˚C)
符号
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
*
条件
V
CE
= 60V, V
BE
= 0
V
CE
= 80V, V
BE
= 0
V
CE
= 30V ,我
B
= 0
V
CE
= 60V ,我
B
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 4V ,我
C
= 1A
V
CE
= 4V ,我
C
= 3A
V
CE
= 4V ,我
C
= 3A
I
C
= 3A ,我
B
= 0.375A
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.5A , F = 10MHz时
I
C
= 1A ,我
B1
= 0.1A ,我
B2
= – 0.1A,
V
CC
= 50V
典型值
最大
200
200
300
300
1
单位
µA
µA
mA
V
2SD2374
2SD2374A
2SD2374
2SD2374A
60
70
10
1.8
1.2
30
0.5
2.5
0.4
250
V
V
兆赫
µs
µs
µs
等级分类
Q
70至150
P
120至250
h
FE1
1