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2SD2441 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD2441
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内容描述: NPN硅外延平面型(对于低频输出放大) [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 39 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD2441的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SD2441
NPN硅外延平面型
对于低频输出放大
单位:mm
s
特点
q
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
0.4max.
45°
1.0
–0.2
+0.1
0.4±0.08
4.0
–0.20
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
0.5±0.08
1.5±0.1
0.4±0.04
(Ta=25˚C)
评级
10
10
7
2
1.5
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
˚C
˚C
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
3
3.0±0.15
2
1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
记号
EIAJ :SC- 62
迷你功率型封装
标记符号:
1V
印刷电路板:为1cm铜箔区
2
以上,板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
正向电压
*1
适用
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
V
F*1
条件
V
CB
= 7V ,我
E
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 1V ,我
C
= 400毫安
*2
I
C
= 1A ,我
B
= 25毫安
*2
V
CB
= 60V ,我
E
= -50mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
I
F
= 500毫安
*2
典型值
最大
1
单位
µA
V
V
V
10
10
7
200
0.17
190
50
1.3
700
0.25
兆赫
pF
V
到内置的二极管。
脉冲测量
2.5±0.1
小功率型封装,设备的小型化使
并通过带包装和maga-自动插入
杂志包装。
2.6±0.1
+0.25
V
1