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    2SD2453 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2453图片预览
    型号： 2SD2453
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN三重扩散平面型 [Silicon NPN triple diffusion planar type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 78 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD2453的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2453的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SD2453
    硅NPN三重扩散平面型
    单位：mm
    对于高电流传输比和功率放大
    ■
    特点
    •
    高正向电流传输比H
    FE
    •
    低集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    6.5
    ±0.1
    5.3
    ±0.1
    4.35
    ±0.1
    2.3
    ±0.1
    0.5
    ±0.1
    7.3
    ±0.1
    1.8
    ±0.1
    0.8最大。
    2.5
    ±0.1
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    *
    基极电流
    集电极电源
    耗散
    结温
    储存温度
    注）非重复性峰值集电极电流
    T
    j
    T
    英镑
    T
    C
    =
    25°C
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    C
    等级
    80
    60
    6
    2
    4
    1
    10
    1
    150
    −55
    to
    +150
    °C
    °C
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    0.75
    ±0.1
    2.3
    ±0.1
    4.6
    ±0.1
    1.0
    ±0.1
    0.1
    ±0.05
    0.5
    ±0.1
    (5.3)
    (4.35)
    (3.0)
    (1.8)
    1
    2
    3
    1.0
    ±0.2
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    EIAJ ： SC- 63
    U- G2封装
    注）自支撑式封装也准备。
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    Emiter基截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    *
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    符号
    V
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    条件
    I
    C
    =
    25毫安，我
    B
    =
    0
    V
    CB
    =
    80 V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    =
    40 V，I
    B
    =
    0
    V
    EB
    =
    6 V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    =
    4 V，I
    C
    =
    0.5 A
    I
    C
    =
    2 A，I
    B
    =
    0.05 A
    V
    CE
    =
    12 V，I
    C
    =
    0.2 A，F
    =
    10兆赫
    50
    500
    民
    60
    100
    100
    100
    2 500
    1
    典型值
    最大
    单位
    V
    µA
    µA
    µA
    V
    兆赫
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ：等级分类
    秩
    h
    FE
    Q
    500〜 1 000
    R
    800〜 1 500
    S
    1 200 〜2 500
    (5.5)
    出版日期： 2003年9月
    SJD00268AED
    1

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