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2SD601A 参数 Datasheet PDF下载

2SD601A图片预览
型号: 2SD601A
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内容描述: NPN硅外延平面型 [Silicon NPN epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD601A的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SD601A
NPN硅外延平面型
对于一般的放大
补充2SB709A
2.8
–0.3
+0.2
单位:mm
s
q
q
q
特点
高盼着电流传输比H
FE
.
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装盒自动插入
包装。
(Ta=25˚C)
评级
60
50
7
200
100
200
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
2.9
–0.05
0.65±0.15
1.5
–0.05
+0.25
0.65±0.15
0.95
1
1.9±0.2
+0.2
0.95
3
0.4
–0.05
+0.1
2
1.45
+0.2
1.1
–0.1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
JEDEC : TO- 236
EIAJ : SC- 59
迷你型包装
标记符号:
Z
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
噪声电压
集电极输出电容
*
h
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE ( SAT )
f
T
NV
C
ob
条件
V
CB
= 20V ,我
E
= 0
V
CE
= 10V ,我
B
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 2毫安
V
CE
= 2V ,我
C
= 100毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= -2mA , F = 200MHz的
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安,G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的,功能= FLAT
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
60
50
7
160
90
0.1
150
110
3.5
0.3
V
兆赫
mV
pF
460
典型值
最大
0.1
100
单位
µA
µA
V
V
V
FE1
等级分类
h
FE1
Q
160 ~ 260
ZQ
R
210 ~ 340
ZR
S
290 ~ 460
ZS
标记符号
0-0.1
为0.1〜 0.3
0.4±0.2
0.8
s
绝对最大额定值
0.16
–0.06
+0.1
1