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    2SD875 参数 Datasheet PDF下载

    2SD875图片预览
    型号： 2SD875
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 对于低频功率放大 [For Low-Frequency Power Amplification]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 72 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD875的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD875的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SD0875
    (2SD875)
    NPN硅外延平面型
    对于低频功率放大
    补充2SB0767 （ 2SB767 ）
    ■
    特点
    •
    大集电极耗散功率P
    C
    •
    高集电极 - 发射极电压（基本开）V
    首席执行官
    •
    小功率型封装，设备的小型化使
    并通过磁带包装盒自动插入
    包装。
    1
    0.4
    ±0.08
    1.5
    ±0.1
    3˚
    0.4最大。
    2.6
    ±0.1
    单位：mm
    4.5
    ±0.1
    1.6
    ±0.2
    1.5
    ±0.1
    4.0
    +0.25
    –0.20
    2.5
    ±0.1
    1.0
    +0.1
    –0.2
    3
    2
    0.5
    ±0.08
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    *
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    80
    80
    5
    0.5
    1
    1
    150
    −55
    to
    +150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    3.0
    ±0.15
    45˚
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    MiniP3 -F1套餐
    标记符号：X
    注） *：印刷电路板：铜箔1厘米面积
    2
    或更多，并且
    为1.7mm基板厚度的集电部
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    正向电流传输比
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    h
    FE1 *
    h
    FE2
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    I
    C
    =
    10
    µA,
    I
    E
    =
    0
    I
    C
    =
    100
    µA,
    I
    B
    =
    0
    I
    E
    =
    10
    µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CB
    =
    20 V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 150毫安
    V
    CE
    = 50 V，I
    C
    = 500毫安
    I
    C
    =
    300毫安，我
    B
    =
    30毫安
    I
    C
    =
    300毫安，我
    B
    =
    30毫安
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −50
    毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    130
    50
    100
    0.2
    0.85
    120
    11
    20
    0.4
    1.2
    V
    V
    兆赫
    pF
    民
    80
    80
    5
    0.1
    330
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ：等级分类
    秩
    h
    FE1
    R
    130至220
    S
    185至330
    注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
    出版日期： 2002年11月
    SJC00198CED
    3˚
    0.4
    ±0.04
    1

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