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    2SD968 参数 Datasheet PDF下载

    2SD968图片预览
    型号： 2SD968
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型（对于低频驱动器放大） [Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency driver amplification)]
    分类和应用： 晶体驱动器小信号双极晶体管放大器
    文件页数/大小： 2 页 / 41 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD968的Datasheet PDF文件第2页  
    晶体管
    2SB789 ， 2SB789A
    PNP硅外延平面型
    对于低频驱动器放大
    补充2SD968和2SD968A
    单位：mm
    s
    特点
    q
    q
    2.6±0.1
    4.5±0.1
    1.6±0.2
    1.5±0.1
    0.4max.
    45°
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极
    基极电压
    集电极
    2SB789
    2SB789A
    2SB789
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C*
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    (Ta=25˚C)
    评级
    –100
    –120
    –100
    –120
    –5
    –1
    –0.5
    1
    150
    –55 ~ +150
    单位
    V
    3
    1.0
    –0.2
    +0.1
    0.4±0.08
    0.5±0.08
    1.5±0.1
    3.0±0.15
    2
    1
    4.0
    –0.20
    0.4±0.04
    发射极电压2SB789A
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    *
    V
    记号
    V
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    EIAJ ：SC- 62
    迷你功率型封装
    标记符号：
    D
    (2SB789)
    E
    (2SB789A)
    印刷电路板：为1cm铜箔区
    2
    以上，板
    厚度1.7毫米的集电极部
    s
    电气特性
    参数
    集电极到发射极
    电压
    2SB789
    2SB789A
    (Ta=25˚C)
    符号
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE1*
    h
    FE2
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    COB
    条件
    I
    C
    = -100μA ，我
    B
    = 0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -150mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -500mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 50mA时F = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    民
    –100
    –120
    –5
    90
    50
    – 0.2
    – 0.85
    120
    30
    – 0.6
    –1.2
    V
    V
    兆赫
    pF
    220
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    集电极 - 基极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    *
    h
    FE1
    等级分类
    秩
    h
    FE1
    Q
    90 ~ 155
    2SB789
    2SB789A
    DQ
    EQ
    R
    130 ~ 220
    DR
    ER
    记号
    符号
    2.5±0.1
    +0.25
    高集电极到发射极电压V
    首席执行官
    .
    大集电极耗散功率P
    C
    .
    1

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