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2SK1374 参数 Datasheet PDF下载

2SK1374图片预览
型号: 2SK1374
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 37 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SK1374的Datasheet PDF文件第2页  
硅MOS场效应管(小信号)
2SK1374
硅N沟道MOS FET
切换
单位:mm
2.1±0.1
s
特点
q
高速开关
q
宽频带
q
装有一个内置的栅极保护二极管
q
允许2.5V驱动
0.65
0.425
1.25±0.1
0.425
1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
3
2
s
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
0.9±0.1
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
最大漏极电流
允许功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GSO
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
50
10
50
100
150
150
−55
+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
0.7±0.1
0-0.1
0.2±0.1
1 :门
2 :源
3 :排水
EIAJ : SC- 70
S-迷你型包装( 3针)
标记符号: 4V
s
电气特性
( TA = 25°C )
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS ( ON)
| Y
fs
|
C
OSS
t
on
*2
*2
*1
条件
V
DS
= 20V, V
GS
= 0
V
GS
= 10V, V
DS
= 0
I
D
= 10μA ,V
GS
= 0
I
D
= 100μA ,V
DS
= 5V
I
D
= 10毫安,V
GS
= 2.5V
I
D
= 10毫安,V
DS
= 5V , F = 1kHz时
V
DS
= 5V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
V
DD
= 5V, V
GS
= 0〜 2.5V ,R
L
= 470Ω
V
DD
= 5V, V
GS
= 2.5〜 0V ,R
L
= 470Ω
典型值
最大
1
1
0.15
–0.05
+0.1
参数
符号
评级
单位
0.2
0.3
–0
+0.1
单位
µA
µA
V
50
0.5
100
0.8
27
1.1
50
V
mS
pF
pF
pF
µs
µs
20
39
4.5
4.1
1.2
0.2
0.2
输入电容(共源)C
国际空间站
输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
RSS
开启时间
打开-O FF时间
*1
*2
t
关闭
脉冲测量
t
on
, t
关闭
测量电路
V
OUT
470Ω
V
in
V
DD
= 5V
V
OUT
10%
10%
90%
t
on
t
关闭
90%
50Ω
100µF
V
GS
= 2.5V
1