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    2SK1611 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1611图片预览
    型号： 2SK1611
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 40 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK1611的Datasheet PDF文件第2页  
    动力F- MOS场效应管
    2SK1611
    硅N沟道功率的F- MOS FET
    s
    特点
    q
    高雪崩能量容量
    q
    V
    GSS
    ： 30V保证
    q
    低R
    DS （ ON）
    高速的开关特性
    单位：mm
    0.7±0.1
    10.0±0.2
    5.5±0.2
    2.7±0.2
    4.2±0.2
    4.2±0.2
    s
    应用
    16.7±0.3
    7.5±0.2
    q
    高速开关（开关电源， AC适配器）
    q
    用于高频功率放大
    φ3.1±0.1
    s
    绝对最大额定值
    (T
    C
    = 25°C)
    参数
    漏源击穿电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    DC
    脉冲
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    DP
    EAS
    *
    P
    D
    T
    ch
    T
    英镑
    评级
    800
    ±30
    ±3
    ±6
    20
    50
    2
    150
    −55
    +150
    单位
    V
    V
    A
    A
    mJ
    4.0
    1.4±0.1
    1.3±0.2
    14.0±0.5
    浸焊
    0.5
    +0.2
    –0.1
    0.8±0.1
    2.54±0.25
    5.08±0.5
    雪崩能量容量
    允许功率
    耗散
    通道温度
    储存温度
    *
    T
    C
    = 25°C
    TA = 25°C
    1
    2
    W
    °C
    °C
    1 ：门
    2 ：排水
    3 ：源
    EIAJ ： SC- 67
    TO- 220全包套餐（一）
    3
    单脉冲
    s
    电气特性
    (T
    C
    = 25°C)
    参数
    漏极到源极截止电流
    门源漏电流
    漏源击穿电压
    雪崩能量容量
    栅极阈值电压
    漏极至源极导通电阻
    正向转移导纳
    符号
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    DSS
    EAS
    *
    V
    th
    R
    DS （ ON）
    | Y
    fs
    |
    C
    OSS
    t
    on
    t
    f
    t
    D（关闭）
    条件
    V
    DS
    = 640V, V
    GS
    = 0
    V
    GS
    = ±30V, V
    DS
    = 0
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    = 0
    L = 4.5mH ，我
    D
    = 3A ，V
    DD
    = 50V
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 2A
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 2A
    V
    DS
    = 20V, V
    GS
    = 0中，f = 1MHz的
    1.5
    800
    20
    1
    3.2
    2.4
    730
    90
    40
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 2A
    V
    DD
    = 200V ，R
    L
    = 100Ω
    40
    35
    105
    5
    4
    民
    典型值
    最大
    0.1
    ±1
    单位
    mA
    µA
    V
    mJ
    V
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    输入电容（共源）C
    国际空间站
    输出电容（共源）
    反向传输电容（共源）C
    RSS
    开启时间
    下降时间
    关断时间（延迟时间）
    *
    雪崩能量容量测试电路
    L
    I
    D
    门
    V
    DS
    D
    RAIN
    S
    环境允许
    C
    V
    DD
    PVS
    R
    GS
    1

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