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2SK198 参数 Datasheet PDF下载

2SK198图片预览
型号: 2SK198
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内容描述: 对于低频放大 [For Low-Frequency Amplification]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 50 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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硅结场效应晶体管(小信号)
2SK0198
(2SK198)
硅n沟道FET的结
对于低频放大
0.40
+0.10
–0.05
单位:mm
0.16
+0.10
–0.06
s
特点
q
高互导克
m
q
低噪音型
q
迷你型封装,允许套的小型化和自动
插入通过纸带/杂志填料。
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
1
2
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
10˚
1.1
+0.2
–0.1
漏源极电压
栅漏电压
漏电流
栅电流
允许功耗
通道温度
储存温度
V
DSX
V
GDO
I
D
I
G
P
D
T
ch
T
英镑
30
−30
20
10
150
150
−55
to
+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1 :源
2 :排水
3 :门
0-0.1
参数
符号
评级
单位
1.1
+0.3
–0.1
s
绝对最大额定值
(T
a
=
25°C)
(0.65)
JEDEC : TO- 236
EIAJ : SC- 59
Mini3 -G1封装
标记符号(例) : 1O
s
电气特性
(T
a
=
25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
栅极到源截止电压
互导
符号
I
DSS *
I
GSS
V
GSC
g
m
条件
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0
V
GS
= −30
V, V
DS
=
0
V
DS
=
10 V,I
D
=
10
µA
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.5毫安,女
=
1千赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1千赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
30 V,I
D
=
1毫安,G
V
=
80分贝
R
g
=
100 kΩ的,功能
=
0.1
4
0.5
典型值
最大
12
−100
−1.5
单位
mA
nA
V
mS
pF
pF
mV
13
14
3.5
60
输入电容(共源)C
国际空间站
反向传输电容(共源)C
RSS
噪声系数
NV
*
I
DSS
等级分类
Runk
I
DSS
(MA )
P
0.5-3
1OP
Q
2至6个
1OQ
R
4至12个
1OR
标记符号
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期: 2002年1月
SJF00006BED
0.4
±0.2
1