2SK198 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK198
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内容描述：	硅n沟道FET的结 [Silicon N-Channel Junction FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 36 K
品牌：	PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]

硅结场效应晶体管（小信号）

2SK198

硅n沟道FET的结

对于低频放大

2.8

–0.3

+0.2

单位：mm

0.65±0.15

特点

高互导克

低噪音型

迷你型封装，允许套的小型化和自动

插入通过纸带/杂志填料。

0.65±0.15

1.5

–0.05

+0.25

0.95

2.9

–0.05

1.9±0.2

+0.2

0.95

0.4

–0.05

+0.1

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

参数

漏源极电压

栅漏电压

漏电流

栅电流

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

DSX

GDO

英镑

评级

−30

150

−55

+150

单位

0.8

1.45

°C

1.1

–0.1

1 ：源

2 ：排水

3 ：门

JEDEC ： TO- 236

EIAJ ： SC- 59

迷你型包装（ 3针）

标记符号（例）： 1O

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

漏极到源极截止电流

门源漏电流

栅极到源截止电压

互导

符号

DSS *

GSS

GSC

条件

= 10V, V

= 0

−30V,

= 0

= 10V ，我

= 10µA

= 10V ，我

= 0.5毫安中，f = 1kHz时

= 10V, V

= 0中，f = 1kHz的

= 10V, V

= 0中，f = 1MHz的

= 30V ，我

= 1毫安，G

= 80分贝

= 100kΩ的，功能= FLAT

−

0.1

民

0.5

典型值

最大

−100

−1.5

单位

3.5

输入电容（共源）C

国际空间站

反向传输电容（共源）C

RSS

噪声系数

DSS

等级分类

Runk

DSS

（MA ）

0.5-3

1OP

2至6个

1OQ

4至12个

1OR

标记符号

0-0.1

为0.1〜 0.3

0.4±0.2

0.16

–0.06

+0.2

+0.1

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