AN78xx / AN78xxF系列
I
在T电气特性
a
=
25 ° C（续）
•
AN7808 ， 7808F （ 8V型）
参数
输出电压
输出电压容差
线路调整
负载调整率
偏置电流
偏置电流波动输入
偏置电流波动加载
输出噪声电压
纹波抑制比
最小输入/输出电压差
输出阻抗
输出短路电流
峰值输出电流
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
偏压（IN）的
∆I
偏压（L）的
V
no
RR
V
DIF （分钟）
Z
O
I
O（短）
I
O（峰）
∆V
O
/T
a
条件
T
j
=
25°C
V
I
=
11〜 23V ，我
O
=
5mA至1A ，
T
j
=
0 〜125℃ ，P
D
≤
*
V
I
=
10.5〜 25V ，T
j
=
25°C
V
I
=
11〜 17V ，T
j
=
25°C
I
O
=
5mA至1.5A ，T
j
=
25°C
I
O
=
250为750mA ，T
j
=
25°C
T
j
=
25°C
V
I
=
10.5〜 25V ，T
j
=
25°C
I
O
=
5mA至1A ，T
j
=
25°C
f
=
10Hz至100kHz
V
I
=
11.5〜 21.5V ，我
O
=
百毫安，女
=
120Hz
I
O
=
1A ，T
j
=
25°C
f
=
1kHz
V
I
=
25V ，T
j
=
25°C
T
j
=
25°C
I
O
=
5毫安，T
j
=
0至125℃的
稳压器
民
7.7
7.6
典型值
8
最大
8.3
8.4
单位
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
µV
dB
V
mΩ
mA
A
毫伏/°C的
6
2
12
4
3.9
160
80
160
80
8
1
0.5
52
56
2
16
700
2
−
0.5
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
14V ，我
O
=
500毫安，C
I
=
0.33μF和C
O
=
0.1µF.
* AN78xx系列： 15W ， AN78xxF系列： 10.25W
•
AN7809 ， 7809F （ 9V型）
参数
输出电压
输出电压容差
线路调整
负载调整率
偏置电流
偏置电流波动输入
偏置电流波动加载
输出噪声电压
纹波抑制比
最小输入/输出电压差
输出阻抗
输出短路电流
峰值输出电流
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
偏压（IN）的
∆I
偏压（L）的
V
no
RR
V
DIF （分钟）
Z
O
I
O（短）
I
O（峰）
∆V
O
/T
a
条件
T
j
=
25°C
V
I
=
12〜 24V ，我
O
=
5mA至1A ，
T
j
=
0 〜125℃ ，P
D
≤
*
V
I
=
11.5到26V ，T
j
=
25°C
V
I
=
12〜 18V ，T
j
=
25°C
I
O
=
5mA至1.5A ，T
j
=
25°C
I
O
=
250为750mA ，T
j
=
25°C
T
j
=
25°C
V
I
=
11.5到26V ，T
j
=
25°C
I
O
=
5mA至1A ，T
j
=
25°C
f
=
10Hz至100kHz
V
I
=
12〜 22V ，我
O
=
百毫安，女
=
120Hz
I
O
=
1A ，T
j
=
25°C
f
=
1kHz
V
I
=
26V ，T
j
=
25°C
T
j
=
25°C
I
O
=
5毫安，T
j
=
0至125℃的
56
2
16
700
2
−
0.5
57
民
8.65
8.55
7
2
12
4
3.9
典型值
9
最大
9.35
9.45
180
90
180
90
8
1
0.5
单位
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
µV
dB
V
mΩ
mA
A
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
15V ，我
O
=
500毫安，C
I
=
0.33μF和C
O
=
0.1µF.
* AN78xx系列： 15W ， AN78xxF系列： 10.25W
4
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
