s
电气特性（Ta = 25℃）
·
AN8007 / AN8007M （N型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
条件
V
I
= 7.5〜 13V ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至40mA ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至50mA ，T
j
=25˚C
V
I
= 6.8V ，我
O
= 20mA下，T
j
=25˚C
V
I
= 6.8V ，我
O
= 50毫安，T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安，T
j
=25˚C
V
I
= 8〜 10V ， F = 120Hz的
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
民
6.72
典型值
7
6.5
14
31
0.07
0.13
0.7
最大
7.28
70
50
60
0.2
0.3
1.3
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
最小的I / O电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
50
62
120
0.35
注1）规定条件的牛逼
j
= 25℃意味着测试应当与每个测试时间减少（在10ms内），以便进行
由于温度上升，在芯片结的漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
= 8V ，我
O
= 20mA下，C
O
=10µF
·
AN8008 / AN8008M （ 8V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小的I / O电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 8.5〜 14V ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至40mA ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至50mA ，T
j
=25˚C
V
I
= 7.8V ，我
O
= 20mA下，T
j
=25˚C
V
I
= 7.8V ，我
O
= 50毫安，T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安，T
j
=25˚C
V
I
= 9〜 11V ， F = 120Hz的
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
49
条件
民
7.68
典型值
8
7.5
15
34
0.07
0.14
0.7
61
135
0.4
最大
8.32
80
55
65
0.2
0.3
1.3
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1）规定条件的牛逼
j
= 25℃意味着测试应当与每个测试时间减少（在10ms内），以便进行
由于温度上升，在芯片结的漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
= 9V ，我
O
= 20mA下，C
O
=10µF
·
AN8085 / AN8085M （ 8.5V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小的I / O电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 9〜 14.5V ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至40mA ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至50mA ，T
j
=25˚C
V
I
= 8.3V ，我
O
= 20mA下，T
j
=25˚C
V
I
= 8.3V ，我
O
= 50毫安，T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安，T
j
=25˚C
V
I
= 9.5〜 11.5V ， F = 120Hz的
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
48
条件
民
8.16
典型值
8.50
8.3
16
36
0.07
0.14
0.8
60
140
0.43
最大
8.84
90
60
70
0.2
0.3
1.4
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1）规定条件的牛逼
j
= 25℃意味着测试应当与每个测试时间减少（在10ms内），以便进行
由于温度上升，在芯片结的漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
= 9.5V ，我
O
= 20mA下，C
O
=10µF
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
